透射电子显微镜(Transmission Electron Microscope,简称TEM)，是一种以电子束为光源的基于电子显微学的微观物理结构分析技术，分辨率*高可以达到0.1nm左右。TEM技术的出现，大大提高了人类肉眼观察显微结构的极限，是半导体领域必不可少的显微观察设备，也是半导体领域工艺研发、量产工艺监控、工艺异常分析等不可缺少的设备。

       TEM在半导体领域具有非常广泛的用途，如晶圆制造工艺分析、芯片失效分析、芯片逆向分析、镀膜及刻蚀等半导体工艺分析等等，客户群体遍布晶圆厂、封装厂、芯片设计公司、半导体设备研发、材料研发、高校科研院所等。

广电计量检测TEM技术团队能力介绍

        广电计量的TEM技术团队由博士牵头，团队技术骨干的相关行业经验均在5年以上，不仅具有丰富的TEM结果解析经验，还具有丰富的FIB制样经验，具备7nm及以上先进制程晶圆的分析能力及各种半导体器件关键结构的解析能力，目前服务的客户遍布国内一线的晶圆厂、封装厂、芯片设计公司、高校科研院所等，并受到客户广泛的认可。

晶圆制造工艺分析：
1、14nm及以上制程芯片晶囿制造工艺分析
2、MOSFET制造工艺分析
3、存储芯片制造工艺分析

芯片失效分析：
1、芯片失效点位置分析，包含漏电、短路、烧毁、异物等异常失效点位的平面制样分析、截面制样分析以及平面转截面分析。
包含形貌观察、尺寸量测、成分分析，可精准到1.0 nm以内。
2、芯片制造工艺缺陷分析，包含形貌观察、尺寸量测、成分分析，可精准到1.0 nm以内。

芯片逆向分析：

1.芯片关键工艺结构剖析，包含尺寸量测、成分分析等。

半导体器件失效分析 ：

1.MOSFET、VCSEL等半导体器件失效点位置分析，包含形貌观察、尺寸量测、成分分析，可精准到1.0 nm以内。

芯片及半导体器件封装工艺分析：

1.封装工艺异常分析，如TSV孔、Via孔、RDL布线层异常分析。

半导体工艺分析：

1.刻蚀工艺、镀膜工艺等半导体工艺分析

材料分析：

1.材料成分分析、晶型分析、晶格缺陷分析、原子级高分辨分析等

业务对接：李经理

电话：138 0884 0060/邮箱：lisz@grgtest.com